电参数计算

参照 DigiKey 换算器清单的中文一站式重制：温度/长度/压力等单位换算、进制与分数转换、欧姆定律、分压、555、三相、衰减器、PCB 走线、色环与 SMD 代码识别，单页全部实时可算。

输入分子/分母多项式系数，实时绘制波特图、奈奎斯特图与阶跃/冲激响应，自动识别低通/高通/带通/带阻并提取特征频率、Q 与 -3dB。

给定输入/目标电压穷举 E 系列分压最佳配对；任意目标阻值用最近单值、两值串联或并联精确凑出；附 E6~E192 官方标称阻值速查表。

迟滞网络两个翻转阈值计算与反解设计：给定 Vr、输出电平与目标阈值，解析求 R1/R2/R3 并给出 E 系列圆整。信号整形防抖必备。

理想增益、输入阻抗、反馈电容低通成型（自动生成传递函数与波特图），以及增益带宽积决定的闭环带宽。增益换带宽一目了然。

输入前向通路与反馈通路的多项式系数，自动推导闭环传递函数、绘制全套响应图，并用 Routh–Hurwitz 判据给出稳定性结论。

PWM 经一阶 RC 得到直流平均电压（伪 DAC）：平均电压、纹波峰峰值、时间常数与截止频率，稳态波形直观展示“多平、多慢”的折中。

最基础的无源低通滤波器：电阻 R 与电容 C 串联分压，高于截止频率的信号被衰减。常用于电源去耦、 ADC 抗混叠前置、PWM 平滑。

电容隔直、电阻泄放的一阶高通：低于截止频率的信号被衰减，直流分量被完全隔断。常用于音频耦合、示波器输入隔直、去除传感器直流偏置。

电感 L 串联、电阻 R 对地的一阶低通：低频时电感近似短路，信号经 R 正常输出；高频时电感阻抗上升，输出被衰减。常用于整流后纹波抑制、音频分频低音单元、电源去耦。截止频率 fc = R/(2πL)。

电阻 R 串联、电感 L 对地的一阶高通：低频时电感近似短路，把信号泄放到地；高频时电感阻抗上升，信号经 R 进入输出。常用于隔除直流与低频漂移、高频耦合。截止频率 fc = R/(2πL)。

R、L 串联后接对地电容 C 的二阶低通：无源、无需供电，Q 由电阻调节。常用于开关电源输出滤波、射频中频匹配、EMI 滤波。特征频率 ω0 = 1/√(LC)，Q = (1/R)·√(L/C)。

R、C 串联后接对地电感 L 的二阶高通：低频时电感短路泄放，高频时电容导通、电感开路，信号进入输出。无源、无需供电。特征频率 ω0 = 1/√(LC)，Q = (1/R)·√(L/C)。

L、C 串联后接对地电阻 R 的二阶带通：f0 处 L、C 阻抗抵消（串联谐振），信号全部落在 R 上（增益 1）；偏离 f0 则衰减。无源选频、载波提取、超外差中频放大选频网络。

R 串联后接 L、C 串联对地支路的二阶带阻：f0 处 L、C 发生串联谐振（阻抗为零），信号被完全短路到地形成陷波；直流与高频均正常通过。用于滤除工频/开关频率干扰、抑制特定单频。

经典的 Sallen-Key（VCVS）二阶低通：RC 网络接同相放大器，C2 从 R1/R2 中点正反馈到输出，用于抬升 Q 值。输入阻抗高、噪声低，是最常用的有源低通拓扑。

Sallen-Key 二阶高通：把低通的 R、C 全部互换位置，R2 从 C1/C2 中点正反馈到输出用于抬升 Q。适合隔直、音频分频高音单元、去除低频漂移。

三阶 Sallen-Key 低通：无源 RC 段与二阶 SK 段级联（跟随器输出），滚降达 -60 dB/十倍频。三阶巴特沃斯取 fc1 = fc2 = fc、ζ = 0.5。

三阶 Sallen-Key 高通：C1/C2/C3 串联耦合信号，R1/R3 对地，R2 从 C2/C3 中点正反馈到输出（跟随器）。滚降 -60 dB/十倍频，适合隔直、音频分频高音通道、去除传感器低频漂移。三阶巴特沃斯取 fc1 = fc2 = fc、ζ = 0.5。

多重反馈（MFB/Rauch）二阶低通：反相放大器，R3 与 C2 构成两条反馈路径。相比 Sallen-Key 元件灵敏度更低、高 Q 时更稳，是有源滤波器的经典选择。

多重反馈二阶高通：输入电容 C1、对地电阻 R1、跨接电容 C2 与反馈电阻 R2 构成多重反馈路径。反相结构，增益 K = −C1/C2 由电容比直接决定。

多重反馈二阶带通：只让 f0 附近的频带通过，Q 决定带宽（BW = f0/Q）。常用于单频检测（如微控制器测电容电桥）、音频频段分析、载波提取。

三阶多重反馈低通：R1/R2/R3 串联进反相端，C1/C2 逐级对地，R4 从 R2/R3 中点反馈到输出，C3 跨接反相端与输出。反相结构，直流增益 K = −R4/(R1+R2)，滚降 -60 dB/十倍频。

三阶多重反馈高通：C1/C2/C3 串联耦合进反相端，R1/R2 逐级对地，C4 从 C2/C3 中点反馈到输出，R3 跨接反相端与输出。反相结构，高频增益由电容比决定，滚降 -60 dB/十倍频。